SiC MOSFET
中瑞宏芯碳化硅MOSFET產(chǎn)品覆蓋650V-1700V電壓等級并提供從20 m?-1?等多種規(guī)格,主要封裝形式為TO247-3L、 TO247-4L及其他工業(yè)領(lǐng)域常見封裝。SiC MOSFET以其低導(dǎo)通電阻和緊湊的芯片尺寸確保了較低的電容和柵極電荷。SiC的特性消除了開關(guān)期間的拖尾電流,使得操作更迅速并減少了開關(guān)損耗。
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