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中瑞宏芯正式發布1200V/14mΩ SiC MOSFET新產品- HX1M014120K的量產計劃。
直徑約10厘米、厚度只有0.35毫米……近日，在國家第三代半導體技術創新中心（蘇州）（下稱“國創中心”），記者見到僅三張A4紙厚度的碳化硅晶片，模樣雖小，卻能迸發出大能量。“這是第三代半導體的關鍵核心材料之一，看著不起眼，卻是個實打實的節能高手。我們正在進行聯合攻關，用它為新能源汽車打造國產‘功率芯’。”江蘇第三代半導體研究院院長徐科說。黨的二十大報告強調，以國家戰略需求為導向，集聚力量進行原創性
中瑞宏芯與國家第三代半導體技術創新中心（蘇州）共建碳化硅車用大功率MOSFET芯片技術聯合研發中心
中瑞宏芯半導體有限公司副總經理、CTO孫軍接受看蘇州專題采訪
“布局第三代半導體，得碳化硅者得天下。”自工信部正式宣布將碳化硅（SiC）復合材料等納入“十四五”產業科技創新相關發展規劃，巨大增量市場應運而生。在新一代黃金賽道，手握這顆最炙手可熱的星，2021年6月23日落戶園區的蘇州中瑞宏芯半導體有限公司迎來發展窗口期。
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