新品發布 | 中瑞宏芯半導體1200V 14mΩ SiC MOSFET正式發布

發布日期：2023-05-29

       近日，隨著可靠性測試的完成，中瑞宏芯正式發布1200V/14mΩ SiC MOSFET新產品- HX1M014120K的量產計劃，成為國內極少數可批量提供該規格大電流低導通電阻SiC MOSFET產品的半導體廠商之一。

       產品主要參數與國外主流產品對比如下表所示：

       該產品應頭部合作車企的要求，于2022年Q3開始研發，Q4開始下線、測試等工作。考慮到承載的更大電流，當下優先推出了TO-247-4L的封裝形式，可以滿足光伏儲能、新能源車、超級充電樁等相關工業領域的諸多需求。

       值得一提的是在驅動電壓方面，中瑞宏芯做到與國際一流產品相匹配，在客戶端應用方面可以實現更好的兼容性。此外，HX1M014120K在短路耐受方面也有良好提升，175℃、800V下短路3.5uS安全測試表現，意味著在橋式結構電路應用上的更高可靠性。

短路能力曲線: 175℃,800V下短路3.5uS安全通過

       中瑞宏芯半導體自成立以來，本著對產品性能提升的執著追求，憑借雄厚的技術實力，不斷取得SiC JBS和SiC MOSFET研發及產品的突破，目前已形成650V/750V/1200V/1700V完整的產品系列，單從1200V MOSFET來看，就已經成功實現了1200V/14mΩ、1200V/17mΩ、1200V/22mΩ、1200V/40mΩ、1200V/60mΩ、1200V/80mΩ六款產品的量產，針對不同細分市場提供更專業的產品和解決方案，且產品性能均達到國際一流水平，可實現SiC器件的國產替代。

關于我們

中瑞宏芯半導體于2020年由海外歸國技術專家和國內功率半導體行業頂尖產品開發團隊創辦，致力于開發新一代節能高效碳化硅功率芯片和模塊。在碳化硅功率半導體領域已全面掌握從芯片設計、仿真建模到測試應用、量產導入全流程know-how，目前研制有碳化硅肖特基二極管JBS和MOSFET功率器件等一系列高端產品，同時掌握多項核心技術。其中團隊開發的具有3D結構的碳化硅器件相比目前市場主流產品不僅增加了電流密度，也提高了反向耐壓和雪崩能力，尤其適用于新能源汽車、光伏儲能及軌道交通領域。

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