8家聯合研發中心啟動共建，國創中心建設再“提速”！

發布日期：2022-06-28

    今天，國家第三代半導體技術創新中心發展戰略研討會暨第一屆專家委員會會議在蘇州工業園區拉開序幕，學術界、產業界代表匯聚一堂，共同探討“十四五”期間如何更好發揮國家第三代半導體技術創新中心的支撐作用、持續提升產業創新能力和國際競爭力等課題。

    中國科學院院士、國家第三代半導體技術創新中心主任郝躍，中國科學院院士江風益，中國工程院院士歐陽曉平，中國科學院院士楊德仁等數十名國內第三代半導體領域頂尖技術和產業專家線上線下參加，省科技廳二級巡視員景茂，園區黨工委委員、管委會副主任倪乾等出席會議。

    園區自2006年起布局發展第三代半導體產業，目前已成為國內第三代半導體產業資源集聚度最高、產業化程度最好的區域之一，集聚上下游企業53家，形成了以“設備輔材-襯底外延-器件”為核心、以“下游應用”為支撐的完整的產業鏈，吸引10余位國家級重點人才在園區創新創業，建設了加工平臺、測試分析平臺、封裝平臺等一批公共服務平臺。

    國家第三代半導體技術創新中心（蘇州）（以下簡稱“國創中心”）于2021年3月獲科技部批復支持建設，瞄準國家重大戰略需求，圍繞第三代半導體材料在半導體照明、新型顯示、功率電子領域的“雙碳”目標，重點解決第三代半導體材料在耐高壓、高功率密度、高能效、高寬帶頻率等特性需求下的材料生長、工藝技術、裝備研發等科學問題，發展一批顛覆性技術，推動我國第三代半導體在多個產業實現國際領跑。

兩年來，國創中心引進院士團隊3個、高層次人才近20人，組建了激光顯示等3個領域核心攻關團隊。材料生長平臺、測試分析平臺能力全面提升，服務企業及科研院所超百家。

實施省級以上重點研發計劃3項，部分關鍵共性技術指標取得突破性進展。與高校院所、科技企業合作設立聯合研發中心9個，聚焦國家戰略需求開展協同攻關。

成立3億元天使基金，舉辦了一系列學術活動，為產學研合作和科創成果轉化提供有力支撐。

國創中心已組建由六十余位頂尖專家、大咖們組成的第一屆技術專家委員會會議現場為部分專家頒發聘書

    圍繞產業鏈需求，加快關鍵核心技術獨立自主和國產化替代，國創中心成立以來，一直致力于加強協同創新網絡構建，推動與優勢單位、企業共建聯合研發中心、實驗室、人才培養基地。會上，面向關鍵技術攻關方向，新啟動共建8家聯合研發中心，包括氮化鎵同質外延技術聯合研發中心、氮化鎵功率微波技術聯合研發中心、微顯示巨集成技術聯合研發中心、硅基氮化鎵材料聯合研發中心、寬帶通信濾波器芯片技術聯合研發中心、碳化硅車用大功率MOSFET芯片技術聯合研發中心、微顯示Led技術聯合研發中心、超高分辨率Micro-LED顯示技術聯合研發中心。

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    “目前，第三代半導體已經顯示出了在汽車電子、通信、航空航天等方面的應用優勢，蘇州在第三代半導體領域擁有豐富的企業資源和科技力量。”郝躍表示，下一步國家第三代半導體技術創新中心將更好地匯聚人才、資源，同時依托蘇州工業園區良好的政策環境，進一步加速科技到產業的轉化，為國家解決重大戰略需求和產業發展需求。

    責編：朱霜 編輯：October

    記者：唐曉雯

    來源：園區融媒體中心